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金刚石材料在宽禁带半导体方面的研究与应用
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产品介绍
金刚石材料在宽禁带半导体方面的研究与应用 福建金刚石材料作为一种宽禁带半导体,在光电子学中的应用前景定是引人注目的。但是由于n型金刚石半导体掺杂存在着一些困难,使制备同质结的困难增大,目前 的依然是麻省理工学院有关于金刚石薄膜p-n结的研究,2001年麻省理工学 院的Koizumi等头次制备了金刚石薄膜p-n结,在金刚石单晶的(111)面上以同质外延生长的方法制备了两层金刚石薄膜,p型半导体使用B元素掺杂福建金刚石材料薄膜而成,n型半导体则以P元素掺杂制备,然后他们对这个装置进行了改进,在施加20V偏压电路的情况下,装置会激发出紫外光,并且指出,该装置可以在高温下运作。 金刚石表面经过氢等离子体溅射处理后,形成氢终端表面。1989年,Landstrass首先报道了氢终端表面表现出p型导电性,随后,其他人证实了这一发现 。1997年,Hayashi等发现氢表面 化处理含B金刚石薄膜后,其表面电学性能也表现出了与未掺杂金刚石相同的变化规律。氢终端金刚石材料作为场发射晶体管的研究已经有超过10年的历史了,麻省理工学院的研究小组首先对金刚石的发射表面进行了分析,发现在B掺杂和N掺杂后的费米能级附近的电子发射特性;接着他们制备了用作场发射阴极的金刚石材料,考察了金属-金刚石之间接触电流,提出了金刚石在真空中的电子释放机理。 电子流密度的考察一般用飞行时间质谱(TOF)来检测,利用TOF进行了TOFs电子飞行 时间的分析也是可行的。但是要注意,由于测量条件的限制,比较TOFs的数值存在着 的困难,因为离子在离开离子源的时候初始能量不同,会影响具有相同质荷比的离子达到检测器的时间有 分布,造成分辨能力下降。当然,在同一小组内发表的报告里比较TOFs的数值还是有 的意义的。 采用离子溅射等方法制备的金刚石点阵也展现出良好的场发射特性,在福建金刚石材料单晶或是单晶Si片上制备纳米金刚石金字塔形的点阵具有更好的发射率。 泉州市隆达密胺材料有限公司(www.qzlongda.com)专业生产销售福建金刚石材料,泉州磨片材料,大理石磨具材料,磨具磨片材料等产品, 价格实惠。联系电话:13459222237
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