参数类型：SI技术指标 产品尺寸：4英寸 用途介绍：单晶硅棒切割成的圆形薄片，是半导体行业的原材料，通过对硅片进行光刻，离子注入等手段，可以制成各种半导体器材 生长方式：直拉单晶（CZ） 表面抛光：单面抛光 直径公差：100 ±0.3（mm） 粗燥度Ra:0.5nm 弯曲度BOW:10um 翘曲度TTV:10um 平整度TIR:3um 电 阻 率 50 颗粒度pewaferr：(for size o.3um) 掺杂类型：N型(掺磷、砷、锑) P型（掺硼） 晶体取向:100 厚 度：400-550 包 装:25片/盒（分盒装）