武汉普赛斯仪表有限公司
主营产品:源表,数字源表,源测单元,SMU,脉冲电流源,VCSEL测试仪器,脉冲LIV,脉冲恒流源,脉冲光功率测量,激光脉冲电流源
大功率IGBT静态参数测试仪
  • 联系人:陶女士
  • QQ号码:1993323884
  • 电话号码:027-87993690
  • 手机号码:18140663476
  • Email地址:1993323884@qq.com
  • 公司地址:湖北省武汉市江夏区东湖开发区光谷大道308号光谷动力绿色环保产业园8栋2楼
产品介绍
IGBT测试难点: 1、由于IGBT是多端口器件,所以需要多个测量模块协同测试。 2、IGBT的漏电流越小越好,所以需要高精度的设备进行测试。 3、IGBT动态电流范围大,测试时需要量程范围广,且量程可以自动切换的模块进行测试。 4、由于IGBT工作在强电流下,自加热效应明显,脉冲测试可以减少自加热效应,所以MOSFET需要进行脉冲IV测试,用于评估期间的自加热特性。 5、MOSFET的电容曲线是其特性表征的重要内容,且与其在高频应用有密切关系。所以IGBT的电容测试非常重要。 6、IGBT开关特性非常重要,需要进行双脉冲动态参数的测试。 大功率IGBT静态参数测试仪简介 功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体,可J准测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,pA级电流J准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容,输出电容、反向传输电容等。 
相关推荐
查看更多产品