TAGORE TECHNOLOGY INC泰高科技公司简介 泰高（TAGORE）总部位于美国芝加哥地区，泰高是从整流公司(IR）分离出来的，从在IR开始就研制并销售的氮化镓芯片，拥有世界的氮化镓芯片研发团队，是氮化镓芯片及综合解决方案的供货商。氮化镓芯片已经被超过50家大公司广泛采用，持续不断推出更多、更好、集成度更高的氮化镓功率芯片。 泰高（TAGORE）是基于氮化镓技术的射频及功率元件及方案主要供货商，所有产品均符合相关工业及标准，所有产品均符合RoHS的无铅要求，泰高拥有一个可靠、负责、世界的质量控制体系，泰高氮化镓元件的可靠性已经被质量验证测试及用户使用证明，主要用户群集中在通讯、电源、医疗、航空航天及军事等领域。 GaN: 氮化镓相对硅元件的关键优势 1. 低门电容/充电电阻 2. 快速开关时间，高开关频率 3. 降低门极驱动损耗 4. 低输出电容/充电电阻 5. 低开关损耗 6. 低传导损耗，低RDSON 7. 无体二极管，零QRR 8. 无反向恢复损耗 9. 降低开关状态电路扰动及EMI 10. Radiation Resistant （抗辐射) TID>10.8kGy (1000.8kRad),SEE>300MeV） 主要产品： 一.Power Management（功率元件） •Integrated 650V GaN Power FET + Driver （650V 功率 FET 加驱动集成芯片） •High side driver with non isolated Level Shifter （自带非隔离电平转移高边驱动电路） •0 ~ 6V PWM inputs 0 6V PWM 输入） •Low Rdson and switching loss for higher system efficiency（低Rdson 、低开关损耗，提高系统效率） •Fast Rise/Fall time （极快的上升 下降时间） •Low Propagation Delay for high frequency operation（高频工作时传输延时短） •Small QFN package （小尺寸 QFN 封装） 二.Switch Products (RF 开关产品） •High Power, Low Insertion Loss and High Isolation Switches（大功率、低接入损耗、高隔离损耗射频开关 •Only requires 5V(or 3V) supply; No Boost converter unlike pin diode （仅需 5V （或 3V ）供电；与 PIN 二极管相比无需 Boost 变换器） •micro Amps current （微安量级电流) •3x3, 4x4 & 5x5mm footprint 3 x 3 、 4 x 4 或 5 x 5 封装） 三.Power Amplifiers（功率放大器) •Broadband power amplifier （宽带功放 ）(30MHz 2.5 GHz) •Stand alone or integrated with Switch（单独使用或与射频开关集成） •28V 36V Supply (28V 36V 供电） •60 ~ 65% Efficiency (60~65% 效率） 主要产品型号： 1.氮化镓功率元件 TTHB100NM TTHB150NM TP44100NM TP44200NM TP44400NM TP44500NM 2.高功率射频开关系列-对称开关 TS7225K TS7225FK TS7224K TS7224FK TS7223K TS7232K TS7232FK TS7242K TS7242FK TS7246K TS7321K TS7321FK TS7322K TS7421L TS7423L TS7441L TS7521N TS7523N TS7021N TS7023N 3.接收器保护开关系列 --（非对称射频开关） TS7329K TS7429L TS7529N TS7029N 4.低 RON 射频开关系列/可调开关 TS63210 TS62200 TS63420 TS62410 5.功率晶体管 0.25 微米硅基氮化镓耗尽型 HEMT TA9110K TA9210D TA9310E TA9410E