普赛斯功率器件分析仪特点和优势： 单台Z大3000V输出； 单台Z大1000A输出，可并联后Z大4000A； 10us的超快电流上升沿； 同步测量； 国标全指标的自动化测试；详询一八一四零六六三四七六 产品参数 项目 参数 集电极-发射极 Z大电压. 3000V Z大电流 1000A 精度 0.10% 漏电流测试量程 1uA~100mA 栅极-发射极 Z大电压. 300V Z大电流 1A(直流)/10A(脉冲) 精度 0.10% Z小电压分辨率 30uV Z小电流分辨率 10pA 可测项目 集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces 集电极-发射极饱和电压Vce sat 集电极电流Ic，集电极截止电流Ices 栅极漏电流Iges，栅极-发射极阈值电压Vge(th) 栅极电阻Rg 电容测量 I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等 普赛斯功率器件分析仪集多种测量和分析功能一体，可J准测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，pA级电流J准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计，方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。