LED照明光源以及灯具图片(21张)LED照明的LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs砷化镓、GaP磷化镓、GaAsP磷砷化镓等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-V特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光[1]特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子少子一部分与多数载流子多子复合而发光。 假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心这个中心介于导带、介带中间附近捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关，即 λ≈1240/Egmm式中Eg的单位为电子伏特eV。若能产生可见光波长在380nm紫光～780nm红光，半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。