本征区熔硅单晶通过中子辐照可获得高电阻率均匀性的硅单晶，保证器件制作的成品率和一致性。主要用于硅整流器、可控硅、巨型晶体管、晶闸管、静电感应晶闸管、绝缘栅双极晶体管、超高压二极管、 智能功率器件功率集成器件等，是各类变频器、整流器、大功率控制器件、新型电力电子器件的主体功能材料，也是多种探测器、传感器、光电子器件和特殊功率器件的主体功能材料。 基本参数 品种：3-6英寸区熔中照单晶 晶向：111/100 型号:N 电阻率范围:2000-8000 寿命μS:大于1000 均匀性%:小于5%