8英寸氧化硅片衬底单晶硅片 直径 8英寸 生长方式 直拉/区熔 导电类型 P型/N型/本征 晶圆方向 0 - 100 ohm.cm 抛光: 单面/双面 总厚 720± 20微米 弯曲度 小于等于50微米 翘曲度 小于等于50微米 总厚度偏差 小于等于25微米 直径 200± 0.5微米 晶格缺陷:无 电阻率 : 可定制 激光打标： 可定制 particle: 小于等于0.3微米小于等于30