三星、台积电、Intel决战10nm制程

时间：2015-06-01 03:52:33 来源：中国电子元器件网 点击量：186

　　在今年宣布以14nm制程制作Galaxy S6系列机种使用处理器Exynos 7420之后，三星也计划将在2016年年底进入10nm制程技术量产新款处理器产品。而另一方面，预期今年第三季进入16nm FinFET制程技术量产阶段的台积电，也传出将投入大量研发资金确保10nm制程技术发展进度，预期将进一步与三星抗衡，至于Intel方面也确定将在2016年下半年间进入10nm制程技术量产。

　　根据kitguru网站报导指出，三星在稍早于旧金山举办的固态电路大会 (ISSCC)中展示以10nm FinFET制程技术生产的300mm晶圆，显示未来将能藉此技术量产新款处理器产品。三星方面表示，预计将在2016年年底前以10nm FinFET制程技术量产新款处理器，预期将在处理器尺寸进一步精简，并且再次降低整体电功耗与散热表现，估计将可应用在新款Exynos系列处理器，以及新款iPhone使用处理器。

　　而台积电方面则是在近期说明16nm FinFET技术趋于稳定，并且可进入量产应用阶段，预计今年第三季内将可投入产能。除此之外，为了进一步追赶三星、Intel等竞争对手，台积电也传出将投入100亿美元资金，藉此确保10nm制程技术发展进度，预期将进一步与三星抗衡，并且协助ARM尽早进入10nm处理器产品发展。

　　至于Intel方面也确定将在2016年下半年间进入10nm制程技术量产，同时以此技术生产的Cannonlake平台系列处理器，也将因为Intel制程技术精进而顺利在2016年第三季内推出。