供销1310nm光放大器-促销SOA光放大器
所在地:广东省东莞市
联系人:李小姐
价格:面议
品牌:东莞华视讯,光发射机,光放大器,光接收机,信号接收
发布时间:2024-04-13
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供销1310nm光放大器-促销SOA光放大器
我们看重产品及服务给客户创造的价值,为此我们不遗余力地把产品及服务至优化,把优异的网络设备产品及真心的服务奉献给广大客户。华视讯的主营产品是SOA光放大器,产品现已广泛用于信息安全系统或数据传输,用户遍布北京;全国;上海;天津;重庆;山东;江苏;四川;河北;海南;湖南;山西;安徽;广西;河南;吉林;广东;辽宁;湖北;江西;浙江;青海;甘肃;贵州;陕西;西藏;宁夏;福建;内蒙古;云南;新疆;黑龙江;香港;澳门;台湾,公司产品得到了合作伙伴的肯定。
供销1310nm光放大器-促销SOA光放大器。 东莞市华视讯电子科技有限公司是一家专注于网络设备系列产品的研发、生产、销售,主营产品SOA光放大器。以满足电信传输的需求为核心,东莞市华视讯电子科技有限公司的SOA光放大器经过全体员工的不懈努力,使得产品抢手于全国;北京;上海;重庆;天津;山东;江苏;四川;河北;海南;湖南;山西;安徽;广西;河南;吉林;广东;辽宁;湖北;江西;浙江;青海;甘肃;贵州;陕西;西藏;宁夏;福建;内蒙古;云南;新疆;黑龙江;香港;澳门;台湾,得到各地电信传输的称赞,在东莞市有的度,为企业塑造了优异、可靠的形象。
半导体光放大器(SOA)由有源区和无源区构成,有源区为增益区。当光信号通过有源区域时,它会导致这些电子以光子的形式失去能量并回到基态。受激励的光子半导体光放大器(SOA)的工作原理是由驱动电流将半导体载流子转化为反转粒子,使得注入种子光幅度放大,并保持注入种子光的偏振、线宽和频率等基本物理特性。随着工作电流的增加,输出光功率也成函数关系增长。目前常见和成熟的技术有直波导半导体光放大器和宽波导半导体光放大器。具有与光信号相同的波长,从而放大光信号。
供销1310nm光放大器-促销SOA光放大器。
半导体光放大器(SOA)的特性及优势
①半导体光放大器(SOA)采用高速全光放大模式,传输协议透明、适合高速信号放大。
②半导体光放大器(SOA)可匹配机架式19英寸1U、2U、4U FMT管理机箱中,采用热空气对流原理,机箱散热性能优良,满足机架空间节省的市场需求。
③半导体光放大器(SOA)双电源冗余备份,并可通过网管和面板上的指示灯查看当前电源供电情况。
④半导体光放大器(SOA)具有高增益、高输出功率,能够校准且可兼容Bellcore GR-1312-CORE。
⑤半导体光放大器(SOA)能对输入/输出光功率、放大器温度与信号增益等关键信息实时监测。
⑥半导体光放大器(SOA)其增益带宽范围 1290-1330nm,温度适应范围可达-20~60℃,具有高输出峰值光功率与低噪声指数。
⑦半导体光放大器(SOA)可工作在自动光功率控制(APC)或自动增益控制(AGC)的工作模式下,能输出的功率稳定可靠。
⑧半导体光放大器(SOA)网管接口可支持串口和以太网口,通过串口可进行本地网管,通过以太网口可进行本地和远程网管,方便对设备的管理与维护。
⑨半导体光放大器(SOA)网管系统具有故障管理、性能管理、配置管理、安全管理。
SOA(Semi-conductor Optical Amplifier)半导体光放大器是采用应变量子阱结构的PN结器件,外部正向偏压形成粒子数反转,外部光进入后导致受激辐射,形成光信号放大。
半导体光放大器原理
优点:具有支持高速、高带宽、低功耗、高增益、小型化、易于集成。
缺点:不同波长通道间存在交叉增益调制与非线性相互作用,偏振敏感性,增益饱和性。
与EDFA(掺铒光纤放大器)相比,商用器件部分指标弱于EDFA,但SOA仍有EDFA无法替代的特性,如其可支持O-band(1260~1360), E-band(1360~1460), L-band(1460~1530)的放大,且有成本低,体积小易集成等特点,在新基建时代,SOA将会在接入网和城域网边缘,以及光纤传感领域获得大规模应用。
半导体光放大器和半导体激光器在原理上并无本质区别,都是在半导体增益介质中对光子引起的受激辐射复合的光放大,只是两者光子来源上的差别。半导体光放大器的基础。然而,与半导体激光器作为激光源不同,半导体光放大器是对外来光信号的放大,在性能要求上存在较多差别。例如,作为光放大器,总希望外来光信号能从光放大器获得尽可能高的净增益和高的饱和输出功率;因光放大器既有输入光信号,又需将经放大的光信号输出,因而对光放大器有噪声指数的要求,等等。
一种半导体光放大器集成激光器,包括振荡具有包括在增益带中的波长的激光的半导体激光振荡器部分和放大从半导体激光振荡器部分输出的激光的半导体光放大器部分。半导体激光振荡器部分和半导体光放大器部分具有一个共用的p‑i‑n结构,该共用的p‑i‑n结构包括活性层、与活性层分开设置的包覆层、以及形成在包覆层中的共用功能层,并且所述共用功能层包括在半导体激光振荡器部分中反射具有在增益带内的波长的光的第一部分和在半导体光放大器部分中透射具有在增益带内的波长的光的第二部分。
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